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STD120N4F6中文资料
STD120N4F6数据手册规格书PDF详情
Features
VDS= 40V, ID= 80A
RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS =4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
STD120N4F6产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD120N4F6
- 功能描述
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
STD120N4F6供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
中天科工半导体（深圳）有限公司 |
STD120N4F6 |
STMicroelectronics |
24+ |
DPAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|
深圳市金芯阳科技有限公司 |
STD120N4F6 |
STM |
15+ |
原厂原装 |
10000 |
进口原装现货假一赔十 |
|
中科国际电子(深圳)有限公司 |
STD120N4F6 |
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
5000 |
原厂原装现货 |
|
深圳市振宏微科技有限公司 |
STD120N4F6 |
ST |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品!假一罚十! |
|
深圳市纳睿斯电子科技有限公司 |
STD120N4F6 |
ST |
23+ |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
||
深圳市高捷芯城科技有限公司 |
STD120N4F6 |
ST(意法半导体) |
23+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|
深圳市明嘉莱科技有限公司 |
STD120N4F6 |
ST/意法 |
25+ |
SMD |
202459 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|
深圳市汇莱威科技有限公司 |
STD120N4F6 |
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504560 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司 |
STD120N4F6 |
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|
深圳市粤科源兴科技有限公司 |
STD120N4F6 |
DISCRETE |
2500 |
STM |
10000 |
STD120N4F6 价格
参考价格：￥3.3652
STD120N4F6 资料下载更多...
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STD120N4F6 类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个 制造商STMicroelectronics 包装：2500 封装：TO-252-3
2021-9-18
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- P95
BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 深圳市百域芯科技有限公司
中文资料: 506条
BY CHIP是一个独立研发、设计生产的自主品牌，总部设于中国台湾，深圳、海外均有办事处。 BY CHIP是由拥有十年的电子元器件研发经验团队的电子人自主创立，集场效应MOS管自主研发，封测，销售的产品一站式服务，专业研发销售SOT89、SOP8、TO252、DFN、TO263、TO220、SOT23、SOT223、TO247、TO251等封装的中低压场效应MOS管，主要应用于小家电、无线快充、无人机、电源板、电动工具、电脑主板、LED、汽车音响、移动电源、全彩屏、变频器、逆变器、电磁炉、平衡车、电动车、智能手环等，为客户提供参数选型、技术支持、定制物料。 BYCHIP的品牌口号：Buil
