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Voltage Range 6.8 to 400 V
400 W Peak Power
FEATURE
. Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
. 400W surge capability at10×100us waveform, Duty cycle: 0.01
. Excellent clamping capability
. Low zener impedance
. Fast response time： Typically less then 1.0ps from 0 volts to VBR for unidirectional and 5.0ns for bidirectional
. Typical IR less then 1 μΑ above 10V
. High temperature soldering guaranteed: 260°C /10 seconds /.375lead length / 5lbs tension
P4KE27产品属性
- 类型
描述
- 型号
P4KE27
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 23.1Vso 25.7Vbr
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
P4KE27供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市硅宇电子有限公司 |
P4KE27CA |
Vishay(威世) |
2249+ |
61663 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
||
深圳市昌和盛利电子有限公司 |
P4KE27 |
VIS |
23+ |
DO-41 |
19567 |
||
深圳市一线半导体有限公司 |
P4KE27 |
ON/DIODES/PANJIT |
24+ |
DO-15 |
43000 |
||
深圳市永贝尔科技有限公司 |
P4KE27 |
GOOD-ARK |
23+ |
NA |
39960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|
深圳廊盛科技有限公司 |
P4KE27 |
LRC/乐山 |
22+ |
DO-41 |
50000 |
原装正品.假一罚十 |
|
深圳市河锋鑫科技有限公司 |
P4KE27 |
LRC |
22+ |
DO-41 |
8289 |
原装现货 |
|
北京天阳诚业科贸有限公司 |
P4KE27 |
JUXING(钜兴) |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|
深圳市中福国际管理有限公司 |
P4KE27 |
LRC/乐山 |
21+20+19+ |
DO-41 |
100 |
生态型分销-代理/现货/订货/调货/技术 |
|
深圳市福田区吉富昌电子商行 |
P4KE27CA |
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-41 |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
|
深圳市益百分电子有限公司 |
P4KE27CA-E3/5 |
VISHAY |
11+ |
DO-41 |
40000 |
原装现货价格有优势量多可发货 |
P4KE27CA-E3/54 价格
参考价格：￥0.6590
P4KE27 资料下载更多...
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- SMAJ11C
- SMAJ12A
- SMAJ13A
- SMAJ15
- SMAJ22A
- SMAJ36
- SMAJ6.5
- SMAJ6.5A
- TMBF206
- TMBF2510
- V24A12E300BN
- V24A12H400BF
- V24A12M300BN
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Chongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业股份有限公司
中文资料: 2711条
重庆平伟实业股份有限公司是一家集产品设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基�。嫦蛑悄苤斩�、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域，建立了产品开发、制造和测试平台，提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案，始终将用户需求放在第一位。 公司位于重庆市梁平工业园区，专业生产各类半导体器件（整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等），占地面积24万平方米，注册资金2.7亿元，总投资超过15亿元。公司
