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2SD2012中文资料

厂家型号

2SD2012

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1499.78Kbytes

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4

功能描述

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

数据手册

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生产厂商

Nanjing International Group Co

简称

DGNJDZ南晶电子

中文名称

东莞市南晶电子有限公司官网

LOGO

2SD2012数据手册规格书PDF详情

FEATURES

High DC Current Gain

Low Saturation Voltage

High Power Dissipation

2SD2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD2012供应商...

更新时间:2025-3-27 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市创新迹电子有限公司
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2SD2012 晶体管资料

  • 2SD2012别名:2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 2SD2012生产厂家:日本东芝公司

  • 2SD2012制作材料:Si-NPN

  • 2SD2012性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 2SD2012封装形式:直插封装

  • 2SD2012极限工作电压:60V

  • 2SD2012最大电流允许值:3A

  • 2SD2012最大工作频率:3MHZ

  • 2SD2012引脚数:3

  • 2SD2012最大耗散功率:25W

  • 2SD2012放大倍数:β=100-320

  • 2SD2012图片代号:B-45

  • 2SD2012vtest:60

  • 2SD2012htest:3000000

  • 2SD2012atest:3

  • 2SD2012wtest:25

  • 2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替:BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

DGNJDZ相关电路图

  • DH
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  • Dialog
  • Digi
  • DIGITALVIEW
  • DIGITRON
  • DILABS
  • DINTEK
  • DIODES
  • Diotec
  • DIOTECH
  • DISCO

Nanjing International Group Co 东莞市南晶电子有限公司

中文资料: 8276条

东莞市南晶电子有限公司(Nanjing International Group Co)为领先业界的高质量半导体分立器件全球制造商与供货商, 产品涵盖广泛领域,包括独立、模拟及混合讯号半导体市场。服务的市场包括消费性电子、计算机与外设、通讯、照明、汽车、工业及医疗市场。 东莞市南晶电子有限公司的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置大功率整流模组,以及电压参考与特殊功能装置等。东莞市南晶电子有限公司总部及销售办公室位于中国东莞。设计、生产与工程中心位于中国东莞和中国山东,并于世界各地设有支持办公室。

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