位置：HGTG20N60B3D > HGTG20N60B3D详情
HGTG20N60B3D中文资料
HGTG20N60B3D数据手册规格书PDF详情
The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25℃ and 150℃. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060.
Features
? 40A, 600V at TC = 25℃
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150℃
? Short Circuit Rated
? Low Conduction Loss
? Hyperfast Anti-Parallel Diode
HGTG20N60B3D产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG20N60B3D
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
HGTG20N60B3D供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市坤融电子科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
3520 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|
深圳市昌和盛利电子有限公司 |
HGTG20N60B3D |
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
||
深圳市宏世佳电子科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
FAIRCHILD |
2023+ |
TO-3P |
3635 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|
深圳市芯福林电子科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
Fairchild/ON |
21+ |
TO247 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|
深圳市拓亿芯电子有限公司 |
HGTG20N60B3D |
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|
深圳企栗科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
Fairchild(飞兆/仙童) |
21+ |
N/A |
2995 |
全新原装亏本出 |
|
深圳市永贝尔科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
Freescale(飞思卡尔) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
|
深圳市得捷芯城科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
Freescale(飞思卡尔) |
23+ |
标准封装 |
15663 |
我们只是原厂的搬运工 |
|
深圳市河锋鑫科技有限公司 |
HGTG20N60B3D |
INTERSIL |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|
博速半导体（深圳）有限公司 |
HGTG20N60B3D |
ON |
ROHS环保 |
TO-3P |
5685 |
原装正品，支持实单 |
HGTG20N60B3D 价格
参考价格：￥16.9542
HGTG20N60B3D 资料下载更多...
HGTG20N60B3D 产品相关型号
- 4N38300W
- H11A617300
- H11A617ASD
- H11A617B3SD
- H11A617BW
- H11A617C300W
- H11A617D300W
- H11A617DSD
- H11D13S
- H11D33SD
- H11L1MSR2-M
- H11L2MS
- H11L2MV-M
- H11L3MS
- H11L3MSR2V
- HGT1S10N120BNS
- HGT1S12N60C3DS
- HGT1S20N35G3VL
- HGTG20N60C3
- HGTG27N120BN
- HGTG30N60B3
- HGTP10N120BN
- HGTP20N35G3VL
- HGTP3N60A4
- OR2C10A-4BC84
- OR2C10A-5M84
- OR2T10A-2BC84
- OR2T10A-2M84
- OR2T10A-3J84
- OR2T10A-7J84
Fairchild相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司
中文资料: 41583条
Fairchild Semiconductor是一家曾经存在的半导体制造商，总部位于美国加州圣克拉拉。Fairchild Semiconductor成立于1957年，是最早期的半导体公司之一，专注于生产各种半导体器件，包括晶体管、集成电路、功率�？榈炔�。 Fairchild Semiconductor在半导体行业具有悠久的历史和丰富的经验，曾经是全球领先的半导体公司之一，其产品被广泛应用于消费电子、通信、工业、汽车等领域。Fairchild Semiconductor以其创新的技术和高性能的产品而闻名，拥有众多专利和技术成果。 2016年，Fairchild Semiconductor被ON
