利博·(集团)有限公司官网

位置:GS82564Z36GB-200V > GS82564Z36GB-200V详情

GS82564Z36GB-200V中文资料

厂家型号

GS82564Z36GB-200V

文件大小

436.46Kbytes

页面数量

33

功能描述

288Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

GSI Technology

简称

GSI

中文名称

官网

LOGO

GS82564Z36GB-200V数据手册规格书PDF详情

Functional Description

The GS82564Z18/36-xxxV is a 288Mbit Synchronous Static SRAM. GSIs NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or other pipelined read/double late write or flow through read/single late write SRAMs, allow utilization of all available bus bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles.

Features

? NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

Read-Write-Read bus utilization; fully pin-compatible with

both pipelined and flow through NtRAM?, NoBL? and

ZBT? SRAMs

? 1.8 V or 2.5 V +10/–10 core power supply

? 1.8 V or 2.5 V I/O supply

? User-configurable Pipeline and Flow Through mode

? ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive

? IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan

? LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

? Pin-compatible with 4Mb, 9Mb, 18Mb, 36Mb, and 72Mb

devices

? Byte write operation (9-bit Bytes)

? 3 chip enable signals for easy depth expansion

? ZZ Pin for automatic power-down

? RoHS-compliant 119- and 165-bump BGA packages

GS82564Z36GB-200V供应商...

更新时间:2025-3-21 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市冠亿通科技有限公司
GS82564Z36GB-400I
GSI
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
深圳市芯睿晨科技有限公司
GS82564Z36GB-400I
GSI Technology Inc.
23+
119-BGA
3500
原装正品 正规报关 可开增值税票
千层芯半导体(深圳)有限公司
GS82582D18GE-375I
GSITechnology
24+
SMD
15600
静态随机存取存储器1.5/1.8V16Mx18288M
深圳市诺美思科技有限公司
GS82564Z36GB-250I
GSI Technology Inc
23+/24+
119-BGA
8600
只供原装进口公司现货+可订货
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
GS82564Z36GB-250I
GSI Technology Inc.
24+
119-BGA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
现代芯城(深圳)科技有限公司
GS82564Z36GB-250I
24+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

GS82564Z36GB-200V 产品相关型号

  • GS8128218GB-200V
  • GS8128236GD-200IVV
  • GS81282Z18GB-200IV
  • GS81282Z36GD-250
  • GS81282Z36GD-250IV
  • GS81284Z36B-167V
  • GS81302D10E-350
  • GS81302D10GE-300I
  • GS81302D10GE-350
  • GS81302Q08GE-300
  • GS816036DGT-200
  • GS82564Z18GD-250V
  • GS82582DT19GE-450I
  • GS82582DT37GE-400I
  • GS82582DT37GE-450I
  • GS832032AGT-250
  • GS832036AGT-333
  • GS864236B-250
  • GS88036CT-250
  • GS88036CT-333
  • JWM11RA1B-B
  • JWM11RBB-B
  • JWM21BA1B-B
  • JWM22RA1B-B
  • JWMW21BHB-B
  • M2024TJA01-SC
  • M2029TJA02-SC
  • MLG0603P3N3ST000
  • NTD122
  • RT6154AGQW

GSI相关电路图

  • GSME
  • GSR
  • GSTEK
  • GSYUASABATTERY
  • GTM
  • GUERRILLA
  • GULFSEMI
  • GWINSTEK
  • GWLPOWER
  • GWSEMI
  • GXELECTRONICS
  • HALO

GSI Technology

中文资料: 11942条

GSI Technology是一家总部位于美国加利福尼亚州的半导体公司,成立于1995年。该公司专注于设计、开发和销售高性能半导体存储器解决方案,包括静态随机存储器(SRAM)和全定制存储器产品。 作为一家专注于存储器产品的半导体公司,GSI Technology致力于提供高性能、低功耗、高可靠性的解决方案,以满足客户对存储器器件的需求。公司的产品广泛应用于计算机、通信、消费电子、医疗和工业领域等不同行业。 GSI Technology在半导体存储器领域拥有丰富的经验和技术优势,致力于不断创新和产品改进。公司的产品组合包括高速、低功耗的静态随机存储器(SRAM)、全定制存储器和其他相关存储器产

【网站地图】【sitemap】