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Functional Description
Applications
The GS881E18//36T is a 9,437,184-bit high performance synchronous SRAM with a 2-bit burst address counter. Although of a type originally developed for Level 2 Cache applications supporting high performance CPUs, the device now finds application in synchronous SRAM applications, ranging from DSP main store to networking chip set support.
1.10 9/2000Features
? FT pin for user-configurable flow through or pipelined
operation
? Dual Cycle Deselect (DCD) operation
? IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan
? On-chip write parity checking; even or odd selectable
? 3.3 V +10/–5 core power supply
? 2.5 V or 3.3 V I/O supply
? LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode
? Internal input resistors on mode pins allow floating mode pins
? Default to Interleaved Pipeline mode
? Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation
? Common data inputs and data outputs
? Clock Control, registered, address, data, and control
? Internal self-timed write cycle
? Automatic power-down for portable applications
? 100-lead TQFP package
GS881E18AD-133IT产品属性
- 类型
描述
- 型号
GS881E18AD-133IT
- 制造商
GSI
- 制造商全称
GSI Technology
- 功能描述
512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-133IT供应商...
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市纳艾斯科技有限公司 |
GS881E32BGT |
GSI |
2020+ |
QFP |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|
深圳市拓亿芯电子有限公司 |
GS881E32BGT |
GSI |
23+ |
QFP |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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- GS881E32AD-133IT
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- T499D335M016AGE1K5
Datasheet数据表PDF页码索引
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GSI Technology
GSI Technology是一家总部位于美国加利福尼亚州的半导体公司,成立于1995年。该公司专注于设计、开发和销售高性能半导体存储器解决方案,包括静态随机存储器(SRAM)和全定制存储器产品。 作为一家专注于存储器产品的半导体公司,GSI Technology致力于提供高性能、低功耗、高可靠性的解决方案,以满足客户对存储器器件的需求。公司的产品广泛应用于计算机、通信、消费电子、医疗和工业领域等不同行业。 GSI Technology在半导体存储器领域拥有丰富的经验和技术优势,致力于不断创新和产品改进。公司的产品组合包括高速、低功耗的静态随机存储器(SRAM)、全定制存储器和其他相关存储器产