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IDT70T633S12BFI中文资料

厂家型号

IDT70T633S12BFI

文件大小

342.05Kbytes

页面数量

27

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA

数据手册

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生产厂商

Integrated Device Technology, Inc.

简称

IDT

中文名称

官网

LOGO

IDT70T633S12BFI数据手册规格书PDF详情

Description

The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 36-bit or wider memory system applications results in full-speed, error-free operation without the need for additional discrete logic.

Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 8/10/12/15ns (max.)

– Industrial: 10/12ns (max.)

◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write cycles

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic

◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or more using the Master/Slave select when cascading more than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master, M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

◆ Full hardware support of semaphore signaling between ports on-chip

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ Separate byte controls for multiplexed bus and bus matching compatibility

◆ Sleep Mode Inputs on both ports

◆ Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1 in BGA-208 and BGA-256 packages

◆ Single 2.5V (±100mV) power supply for core

◆ LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV) power supply for I/Os and control signals on each port

◆ Available in a 256-ball Ball Grid Array, 144-pin Thin Quad Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available for selected speeds

IDT70T633S12BFI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70T633S12BFI

  • 功能描述

    IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

IDT70T633S12BFI供应商...

更新时间:2025-3-15 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IDT70T633S12BFI
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Integrated Device Technology, Inc.

中文资料: 50228条

Integrated Device Technology, Inc. (IDT) 是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市的半导体公司。IDT成立于1980年,是一家知名的全球性半导体公司,主要从事研发、生产和销售各种集成电路和半导体产品。 IDT的产品涵盖广泛,包括时钟管理、界面和连接、无线充电、数据存储、ASIC、通信接口、传感器接口、汽车电子和其他领域的解决方案。公司的产品广泛应用于通讯、计算、工业、汽车、消费电子等领域。 IDT致力于提供高性能、高可靠性和创新的半导体解决方案,以满足客户不断发展的需求。公司在行业中拥有良好的声誉和技术实力,致力于推动半导体领域的发展,并与众多合作伙伴和

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