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IHD10N60RA中文资料

厂家型号

IHD10N60RA

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829.54Kbytes

页面数量

12

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

数据手册

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生产厂商

Infineon Technologies AG

简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

LOGO

IHD10N60RA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHD10N60RA

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IHD10N60RA供应商...

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科雨电子有限公司
IHD10N60RA
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原装现货支持BOM配单服务

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Infineon Technologies AG 英飞凌科技股份公司

中文资料: 35629条

英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)是一家全球领先的半导体制造商,成立于1999年,总部位于德国。英飞凌专注于提供高效能和高可靠性的半导体解决方案,广泛应用于汽车、工业、通信以及消费电子等多个领域。公司的产品涵盖了功率半导体、微控制器、安全产品和传感器等多种类型,致力于满足客户在能效、节能和安全方面的需求。 在汽车电子领域,英飞凌是重要的市场参与者,提供各种关键的解决方案,例如用于电动汽车和混合动力汽车的功率管理系统。此外,英飞凌还专注于提高工业自动化和智能家居系统的性能,通过其先进的传感器和控制技术促进智能制造和数字化转型。 公司在全球范围内拥有多个研发和制

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