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IRF6618TR1中文资料
IRF6618TR1数据手册规格书PDF详情
● Application Specific MOSFETs
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Switching Losses
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRF6618TR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6618TR1
- 功能描述
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IRF6618TR1供应商...
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市永贝尔科技有限公司 |
IRF6618TR1 |
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|
标准国际(香港)有限公司 |
IRF6618TR1 |
IRF6618TR1 |
1000 |
1000 |
|||
深圳市安博威科技有限公司 |
IRF6618TR1 |
INFINEON/IR |
07+ |
DirectFET MT |
2000 |
||
深圳市金华微盛电子有限公司 |
IRF6618TR1PBF |
IR |
2019+ |
QFN |
60000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
|
深圳市坤融电子科技有限公司 |
IRF6618TR1PBF |
IR |
24+ |
DIRCTFET |
4000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|
深圳市华高宇电子有限公司 |
IRF6618TR1 |
INFINEON/IR |
07+ |
2000 |
DirectFET MT |
||
深圳市勤思达科技有限公司 |
IRF6618TR1 |
IR |
2013+ |
QFN |
15800 |
授权分销IR系列场效应管,大量现货供应IRF6617TRPBF,正品原装,品质保证。 |
|
深圳市益百分电子有限公司 |
IRF6618TR1 |
IOR |
04+ |
晶震 |
2145 |
全新原装进口自己库存优势 |
|
深圳市一线半导体有限公司 |
IRF6618TR1 |
IR |
24+ |
5650SMD |
7200 |
新进库存/原装 |
|
深圳市博浩通科技有限公司 |
IRF6618TR1 |
IR |
23+ |
PLL |
12000 |
全新原装优势 |
IRF6618TR1 价格
参考价格:¥6.5000
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- HM77-13003
- HM77-14004
- HM77-21005
- HM77-22006
- HM77-29006
- IF183C154-L16
- IP83C154-L16
- IRF6612
- IRF6612TR1
- IRLU7843
- IS83C151C-L16
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- MT5C1008ECA-20L/883C
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- MT5C1008ECA-35L/883C
- MT5C1008ECA-55/883C
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Datasheet数据表PDF页码索引
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- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在