位置:IRG4IBC30F > IRG4IBC30F详情
IRG4IBC30F中文资料
IRG4IBC30F数据手册规格书PDF详情
Features
? Very Low 1.59V votage drop
? 2.5kV, 60s insulation voltage
? 4.8 mm creapage distance to heatsink
? Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
? Tighter parameter distribution
? Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
Benefits
? Simplified assembly
? Highest efficiency and power density
? HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
IRG4IBC30F产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4IBC30F
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30F供应商...
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市永贝尔科技有限公司 |
IRG4IBC30F |
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|
深圳市明嘉莱科技有限公司 |
IRG4IBC30FD |
IR |
24+ |
TO 220F |
161189 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|
深圳市河锋鑫科技有限公司 |
IRG4IBC30F |
IR |
22+ |
TO |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|
深圳市安富世纪电子有限公司 |
IRG4IBC30F |
IR |
23+ |
TO |
8000 |
只做原装现货 |
|
天津市博通航睿技术有限公司 |
IRG4IBC30F |
IR |
23+ |
TO |
7000 |
||
深圳市恒创达实业有限公司 |
IRG4IBC30FDPBF |
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|
深圳市一线半导体有限公司 |
IRG4IBC30FD |
IR |
24+ |
TO-220FullPak |
8866 |
||
深圳市博浩通科技有限公司 |
IRG4IBC30FD |
IR |
23+ |
TO-220F |
8600 |
全新原装现货 |
|
深圳市欧立现代科技有限公司 |
IRG4IBC30FD |
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|
深圳市勤思达科技有限公司 |
IRG4IBC30FD |
IR |
2015+ |
TO-220F |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
IRG4IBC30F 资料下载更多...
IRG4IBC30F 产品相关型号
- 307-052-542-203
- AME8500AEFVAD29
- AME8500BEETAD29
- AME8500BEFTDA29
- AME8500CEEVDA29
- AME8501AEEVDA29
- AME8501BEEVDA29
- AME8501BEFVAD29
- AME8501CEFTCA29
- HZC10
- HZC3.0
- HZC7.5
- IDT70V631S10PRF
- IDT71V3577SA80BGG
- IDT71V3579S80BGG
- IDT723626L12PF
- IDT723646L15PF
- ILD621
- ILD621-X006
- ILQ621GB-X009
- IRF530
- IRKT26/04AS90
- IRKT26/14A
- IRLI3615
- IS438
- IS61LV256-12J
- IS61LV256-8J
- K4S51323PF-MEF90
- K4S56163LF-L
- K6R4004V1D-JKCI
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在