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IRLZ44NL中文资料

厂家型号

IRLZ44NL

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178.43Kbytes

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10

功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)

MOSFET N-CH 55V 47A TO-262

数据手册

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生产厂商

International Rectifier

简称

IRF

中文名称

官网

LOGO

IRLZ44NL数据手册规格书PDF详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible onresistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRLZ44NL) is available for lowprofile applications.

● Logic-Level Gate Drive

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRLZ44NS)

● Low-profile through-hole (IRLZ44NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

IRLZ44NL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLZ44NL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 47A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRLZ44NL供应商...

更新时间:2025-2-25 14:56:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市永贝尔科技有限公司
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International Rectifier

中文资料: 32004条

International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在


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