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IXFT12N100F中文资料
IXFT12N100F数据手册规格书PDF详情
VDSS = 1000V
ID25 = 12A
RDS(on) ≤ 1.05Ω
trr ≤ 250ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg, Low
Intrinsic Rg, High dV/dt, Low trr
Features
? RF capable MOSFETs
? Double metal process for low gate resistance
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic rectifier
Applications
? DC-DC converters
? Switched-mode and resonant-mode power supplies, >500kHz switching
? DC choppers
? 13.5 MHz industrial applications
? Pulse generation
? Laser drivers
? RF amplifiers
Advantages
? Space savings
? High power density
IXFT12N100F产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFT12N100F
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IXFT12N100F供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市永贝尔科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|
深圳市河锋鑫科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|
深圳市芯福林电子科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS |
21+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|
易创佳业科技（深圳）有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS |
23+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS |
24+ |
TO |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268D3PAK |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|
深圳市科雨电子有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS-RF |
1809+ |
TO-268 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|
深圳市国宇半导体科技有限公司 |
IXFT12N100F |
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO |
10000 |
公司只做原装正品 |
|
中天科工半导体（深圳）有限公司 |
IXFT12N100Q |
IXYS |
20+ |
TO-3P |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|
深圳市安富世纪电子有限公司 |
IXFT12N100Q |
IXYS |
23+ |
TO-3P |
8000 |
只做原装现货 |
IXFT12N100F 资料下载更多...
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IXYS相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
IXYS Corporation
中文资料: 8731条
IXYS Corporation是一家知名的半导体公司，成立于1983年，总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路，广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名，包括可控硅、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点，帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发，致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进，IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外，公司还提供全面的技术支持和服务
