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2SD2012中文资料

厂家型号

2SD2012

文件大小

1225.8Kbytes

页面数量

3

功能描述

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

数据手册

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生产厂商

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

简称

JIANGSU长电科技

中文名称

江苏长电科技股份有限公司官网

LOGO

2SD2012数据手册规格书PDF详情

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

● Audio frequency power amplifier applications

● High DC current gain

● Low saturation voltage

● High power dissipation

2SD2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD2012供应商...

更新时间:2025-3-31 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货假一罚十
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2SD2012 晶体管资料

  • 2SD2012别名:2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 2SD2012生产厂家:日本东芝公司

  • 2SD2012制作材料:Si-NPN

  • 2SD2012性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 2SD2012封装形式:直插封装

  • 2SD2012极限工作电压:60V

  • 2SD2012最大电流允许值:3A

  • 2SD2012最大工作频率:3MHZ

  • 2SD2012引脚数:3

  • 2SD2012最大耗散功率:25W

  • 2SD2012放大倍数:β=100-320

  • 2SD2012图片代号:B-45

  • 2SD2012vtest:60

  • 2SD2012htest:3000000

  • 2SD2012atest:3

  • 2SD2012wtest:25

  • 2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替:BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

JIANGSU相关电路图

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  • JMICRON
  • JMK
  • JMNIC

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 江苏长电科技股份有限公司

中文资料: 3158条

长电科技是全球领先的集成电路制造与技术服务提供商,向全球半导体客户提供全方位、一站式产品成品制造解决方案,涵盖微系统集成、设计仿真、晶圆中测、产品及器件封装、成品测试、产品认证以及全球直运等服务。公司在中国、韩国和新加坡拥有八大生产基地和两大研发中心,并在全球设有20多个业务机构,为客户提供紧密的技术合作与高效的产业链支持。 长电科技拥有先进和全面的产品成品制造技术,包括晶圆级封装(WLP)、2.5D/3D封装、系统级封装(SiP)、倒装产品封装、引线键合封装及传统封装先进化解决方案,广泛应用于汽车电子、人工智能、高性能计算、高密度存储、网络通信、智能终端、工业与医疗、功率与能源等领域。

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