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FQPF12N60C中文资料

厂家型号	FQPF12N60C
文件大小	1074.33Kbytes
页面数量	9页
功能描述	600V N-Channel MOSFET MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	Kersemi Electronic Co., Ltd.
简称	KERSEMI
中文名称	官网
LOGO

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General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductor?s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

Features

? 12A, 600V, RDS(on) = 0.65? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 48 nC)

? Low Crss ( typical 21 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

FQPF12N60C产品属性

类型
描述
型号
FQPF12N60C
功能描述
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

FQPF12N60C供应商...

更新时间：2025-3-15 17:38:00

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