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MGFK35V2732中文资料

厂家型号

MGFK35V2732

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3

功能描述

12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET?

12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

数据手册

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生产厂商

Mitsubishi Electric Semiconductor

简称

Mitsubishi三菱电机

中文名称

三菱电机株式会社官网

LOGO

MGFK35V2732数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MGFK35V2732 is an internally impedance matched GaAs power FET especially designed for use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● High output power

P1dB = 3.5 W (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High linear power gain

GLP = 7.0 dB (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz

● High power added efficiency

ηadd = 26 (TYP.) @ f = 12.7 ~ 13.2 GHz, P1dB

APPLICATION

For use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers

MGFK35V2732产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGFK35V2732

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

MGFK35V2732供应商...

更新时间:2025-3-17 14:42:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市永贝尔科技有限公司
MGFK35V2732
MITSUBISHI
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市旺财半导体有限公司
MGFK35V2732
MITSHIBIS
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房间现货库存:QQ:373621633
深圳市百诺芯科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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Mitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机株式会社

中文资料: 19501条

三菱电机半导体(Mitsubishi Electric Semiconductor)是三菱电机株式会社的一部分,专注于半导体产品的开发和制造。公司成立于20世纪,并在全球范围内提供广泛的半导体解决方案,涵盖功率半导体、模拟和数字集成电路、微控制器和ASIC等产品。三菱电机半导体在电力、汽车、工业、通信以及消费电子等领域发挥着关键作用,致力于不断创新和技术进步,以满足日益增长的市场需求。凭借其强大的技术实力和可靠的产品质量,三菱电机半导体在全球半导体行业中占据重要地位。

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