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NAND01GW3A2BE06中文资料

厂家型号

NAND01GW3A2BE06

文件大小

1171.29Kbytes

页面数量

48

功能描述

Known Good Die, 1 Gbit (x 8/x 16), 528 Byte/264 word page, 3 V, NAND Flash memory

闪存 Known GD Die 1Gbit

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

numonyx

简称

NUMONYX

中文名称

官网

LOGO

NAND01GW3A2BE06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GW3A2BE06

  • 功能描述

    闪存 Known GD Die 1Gbit

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

NAND01GW3A2BE06供应商...

更新时间:2025-3-20 17:57:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
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numonyx

中文资料: 4589条

Numonyx是一家曾经存在的存储技术公司,于2008年由英特尔(Intel)和STMicroelectronics共同创立。Numonyx专注于非易失性存储器(NVM)技术和闪存存储器技术,为客户提供各种存储解决方案和产品。 Numonyx的产品包括闪存存储器、嵌入式存储器、非易失性存储器等,在计算机、消费电子、通信、汽车等领域得到广泛应用。公司致力于技术创新与研发,不断提升产品性能、可靠性和创新性,以满足客户不断增长的需求。 2010年,美国存储技术公司Micron Technology收购了Numonyx,并将其整合为Micron的一部分。这一收购使Micron得以拓展其存储技术领域的产

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