位置：MJE3439G > MJE3439G详情
MJE3439G中文资料
.JPG)
MJE3439G数据手册规格书PDF详情
NPN Silicon High?Voltage Power Transistor
This device is designed for use in line?operated equipment requiring high fT.
Features
? High DC Current Gain ? hFE = 40?160 @ IC
= 20 mAdc
? Current Gain Bandwidth Product ? fT = 15 MHz (Min) @ IC
= 10 mAdc
? Low Output Capacitance ? Cob = 10 pF (Max) @ f
= 1.0 MHz
? Pb?Free Package is Available*
MJE3439G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJE3439G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 0.3A 350V 15W NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
MJE3439G供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司 |
MJE3439G |
onsemi |
24+ |
TO-225AA TO-126-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|
深圳市一线半导体有限公司 |
MJE3439G |
ON |
24+ |
TO-225 |
8866 |
||
深圳市博浩通科技有限公司 |
MJE3439G |
ON |
23+ |
TO-225 |
7750 |
全新原装优势 |
|
深圳市联世界科技有限公司 |
MJE3439G |
ON |
11+ |
460 |
原装正品现货库存价优 |
||
深圳市海天鸿电子科技有限公司 |
MJE3439G |
ON |
1706+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|
深圳市华来深电子有限公司 |
MJE3439G |
ON |
23+ |
TO-126 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|
深圳市纳立科技有限公司 |
MJE3439G |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||
深圳市科雨电子有限公司 |
MJE3439G |
ON |
1809+ |
TO-225 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|
深圳市达恩科技有限公司 |
MJE3439G |
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|
深圳市盈盛科创科技有限公司 |
MJE3439G |
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
MJE3439G 价格
参考价格：￥1.0836
MJE3439G 资料下载更多...
MJE3439G 产品相关型号
- 104-P30-5A
- 106-M2-P10-5A
- 129-L11-H-KF-5A
- 1410-F110-P1F1-W14QE4
- 157K10-KF-0.1A
- 157K10-KF-25A
- 1610-21-5A
- 1633743-1
- 1S7AE_0312S1U
- 1S7AE_0315D1U
- 1S7AE_0315S1U
- 1S7AE_0318D1U
- 1S7AE_0318S1U
- 2063440-1
- 22283-1
- 240638-1
- 251B000253C5TB
- 270X820M501A1A
- 296HE102A3N
- 3-23627-7
- 442NASH252ADN
- 5-22280-0
- 980371-4
- 995-MS35-10018
- BD437G
- BLM18BD121SZ1
- MURB1660CTG
- NRVUS360VBT3G
- ZSPM9010ZA1R
ONSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
ON Semiconductor 安森美半导体公司
中文资料: 109533条
安森美半导体公司（ON Semiconductor美国纳斯达克上市代号：ON）成立于1965年，总部位于美国马萨诸塞州劳埃尔市。安森美是一家全球领先的半导体公司，专注于设计和制造高性能模拟与数字信号处理技术。公司产品涵盖模拟信号处理器、混合信号处理器、数据转换器、射频/微波产品、功率管理产品等领域。 安森美半导体公司的产品被广泛应用于工业、汽车、通讯、医疗、消费电子等多个领域。其创新的技术与解决方案为各行业客户提供了卓越的性能和可靠性。公司以不断推动技术创新和高性能产品而闻名，并在全球范围内拥有广泛的客户群。
