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HAF2007-90STR中文资料

厂家型号

HAF2007-90STR

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95.12Kbytes

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9

功能描述

Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

HAF2007-90STR数据手册规格书PDF详情

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

? Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

? High endurance capability against to the short circuit

? Built-in the over temperature shut-down circuit

? Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

HAF2007-90STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HAF2007-90STR

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

HAF2007-90STR供应商...

更新时间:2025-3-20 10:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 112694条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为

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