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HAF2017-90STR中文资料

厂家型号

HAF2017-90STR

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134.23Kbytes

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9

功能描述

Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

HAF2017-90STR数据手册规格书PDF详情

Descriptions

This FET has the over temperature shutdown capability sensing the junction temperature.This FET has the built-in over temperature shutdown circuit in the gate area. And this circuit operation to shutdown the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..

Features

? Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

? High endurance capability against to the short circuit

? Built-in the over temperature shutdown circuit

? Latch type shutdown operation (Need 0 voltage recovery)

HAF2017-90STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HAF2017-90STR

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching

HAF2017-90STR供应商...

更新时间:2025-3-16 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 112667条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为

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