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NESG2021M05中文资料

厂家型号

NESG2021M05

文件大小

159.35Kbytes

页面数量

14

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M05-A

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NESG2021M05数据手册规格书PDF详情

FEATURES

? This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

? NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

? NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

NESG2021M05产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG2021M05

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M05-A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

NESG2021M05供应商...

更新时间:2025-3-23 10:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市英瑞尔电子科技有限公司
NESG2021M05-T1
RENESAS
24+
SOT343-4
2600
原装现货假一赔十
瀚佳科技(深圳)有限公司
NESG2021M05-T1-A
NEC
24+
SOT343
9700
绝对原装正品现货假一罚十
深圳市恒创达实业有限公司
NESG2021M05
NEC
17+
SOT-343
6200
100%原装正品现货
深圳市昌和盛利电子有限公司
NESG2021M05
NEC
23+
SOT-343
18689
深圳诚思涵科技有限公司
NESG2021M05
NEC
16+
SOT-343
10000
进口原装现货/价格优势!
深圳市近平电子有限公司
NESG2021M05
NEC
6000
面议
19
SMD(贴片)
深圳市锐视安科技有限公司
NESG2021M05
NEC
19+
S0T-23-6
500
只做原装可拆样品
深圳市永贝尔科技有限公司
NESG2021M05
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
深圳市安富世纪电子有限公司
NESG2021M05
NEC
23+
SOT343
50000
全新原装正品现货,支持订货
京海半导体(深圳)有限公司
NESG2021M05
NEC
21+
SOT-343
10000
原装现货假一罚十

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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 112694条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为

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