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NP36N10SDE-E1-AY中文资料

厂家型号

NP36N10SDE-E1-AY

文件大小

257.61Kbytes

页面数量

8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NP36N10SDE-E1-AY数据手册规格书PDF详情

Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

? Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

NP36N10SDE-E1-AY供应商...

更新时间:2025-3-20 17:57:00
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 112715条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为

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