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Product Description
RFMD’s CGA-3318Z is a high performance Silicon Germanium HBT MMIC Amplifier. Designed with SiGe process technology for excellent linearity at an exceptional price. A Darlington configuration is utilized for broadband performance. The hetero-junction increases breakdown voltage and minimizes leakage current between junctions. The CGA-3318Z contains two amplifiers for use in wideband Push-Pull CATV amplifiers requiring excellent second order performance. The second and third order non-linearities are greatly improved in the push-pull configuration.
Features
■ Lead-Free, RoHS Compliant, and Green Packaging
■ Excellent CSO/CTB/XMOD Performance at +34dBmV Output Power Per Tone
■ Dual Devices in Each SOIC-8 Package Simplify Push-Pull Configuration PC Board Layout
■ 5MHz to 900MHz Operation
Applications
■ CATV Head End Driver and Predriver Amplifier
■ CATV Line Driver Amplifier
CGA3318Z-EVB2产品属性
- 类型
描述
- 型号
CGA3318Z-EVB2
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
DUAL CATV BROADBAND HIGH LINEARITY SiGe HBT AMPLIFIER
CGA3318Z-EVB2供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市赛美科科技有限公司 |
CGA3318ZSB |
RFMD |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||
上海磐岳电子有限公司 |
CGA-3318ZSR |
RFMD |
2023+ |
SOP8 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|
深圳市威尔健半导体有限公司 |
CGA-3318Z其他被动元件 |
RFMD |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|
深圳廊盛科技有限公司 |
CGA-3318Z其他被动元件 |
RFMD |
2022 |
SOP-8 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|
深圳市科恒伟业电子有限公司 |
CGA3318ZPCK-410 |
RFMD |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
|
千层芯半导体(深圳)有限公司 |
CGA3318ZPCK-410 |
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯达集团”专营品牌原装正品假一罚十 |
|
深圳市宝芯创电子有限公司 |
CGA3E1C0G2A103J080AC |
TDK |
18+ |
SMD |
900000 |
优势贴片电容全新原装进口现货欢迎咨询 |
|
深圳市科雨电子有限公司 |
CGA3E1C0G2A103J080AC |
TDK |
20+ |
电容器 |
7926 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|
深圳市华来深电子有限公司 |
CGA3E1C0G2A103J080AC |
TDK |
23+ |
smd0603 |
244000 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|
深圳市创新迹电子有限公司 |
CGA3E1C0G2A103J080AC |
TDK/东电化 |
23+ |
SMD |
100000 |
原装现货、价格优势、可开发票 |
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- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
RF Micro Devices
中文资料: 4115条
RF Micro Devices于1991年由Analog Devices的前员工William J. Pratt、Powell T. Seymour和Jerry D. Neal在美国北卡罗来纳州格林斯博罗创立。从一开始它就专注于为商业无线市场设计射频集成电路（RFIC）产品。其产品主要包括用于无线通信的射频集成电路放大装置（RFICs）和信号处理传输设备。它们在诸如手机、无线基础设施、无线局域网（WLAN）、有线电视/宽带、航空航天和国防等市场有广泛应用。例如，它生产手机备件，是全球主要的功率放大器供应商。它还生产用于无线基础设施、有线电视调制解调器、个人通信系统和双向数据寻呼机的组件。 R
