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    NAND01GR3A0AZA6中文资料

    厂家型号

    NAND01GR3A0AZA6

    文件大小

    916.59Kbytes

    页面数量

    57

    功能描述

    128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

    128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit(x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

    数据手册

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    生产厂商

    STMicroelectronics

    简称

    STMICROELECTRONICS意法半导体

    中文名称

    意法半导体集团官网

    LOGO

    NAND01GR3A0AZA6数据手册规格书PDF详情

    SUMMARY DESCRIPTION

    The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses

    the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

    FEATURES SUMMARY

    ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES

    – Up to 1 Gbit memory array

    – Up to 32 Mbit spare area

    – Cost effective solutions for mass storage applications

    ■ NAND INTERFACE

    – x8 or x16 bus width

    – Multiplexed Address/ Data

    – Pinout compatibility for all densities

    ■ SUPPLY VOLTAGE

    – 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V

    – 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V

    ■ PAGE SIZE

    – x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

    – x16 device: (256 + 8 spare) Words

    ■ BLOCK SIZE

    – x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

    – x16 device: (8K + 256 spare) Words

    ■ PAGE READ / PROGRAM

    – Random access: 12?s (max)

    – Sequential access: 50ns (min)

    – Page program time: 200?s (typ)

    ■ COPY BACK PROGRAM MODE

    – Fast page copy without external buffering

    ■ FAST BLOCK ERASE

    – Block erase time: 2ms (Typ)

    ■ STATUS REGISTER

    ■ ELECTRONIC SIGNATURE

    ■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION

    – Simple interface with microcontroller

    ■ SERIAL NUMBER OPTION

    ■ HARDWARE DATA PROTECTION

    – Program/Erase locked during Power transitions

    ■ DATA INTEGRITY

    – 100,000 Program/Erase cycles

    – 10 years Data Retention

    ■ RoHS COMPLIANCE

    – Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive

    ■ DEVELOPMENT TOOLS

    – Error Correction Code software and hardware models

    – Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms

    – File System OS Native reference software

    – Hardware simulation models

    NAND01GR3A0AZA6产品属性

    • 类型

      描述

    • 型号

      NAND01GR3A0AZA6

    • 制造商

      STMICROELECTRONICS

    • 制造商全称

      STMicroelectronics

    • 功能描述

      128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit(x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

    NAND01GR3A0AZA6供应商...

    更新时间:2025-3-20 17:57:00
    供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
    深圳市科恒伟业电子有限公司
    NAND01GR3A2BZB6E
    NUMONYX
    2016+
    FBGA
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    STMicroelectronics 意法半导体集团

    中文资料: 159747条

    意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎,是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案,产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地,致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴,为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展,助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功,还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重

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