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FEATURES
These Zeners are best suited for General Purpose Industrial, Entertainment, Military & Space Applications. The Glass Passivated Chips are Hermetically Sealed with Double Studs, Providing Excellent Stability and Reliability.
1N4743A产品属性
- 类型
描述
- 型号
1N4743A
- 功能描述
稳压二极管 13V 1W ZENER 5%
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 齐纳电压
12 V
- 电压容差
5 %
- 电压温度系数
0.075 %/K
- 功率耗散
3 W
- 最大反向漏泄电流
3 uA
- 最大齐纳阻抗
7 Ohms
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DO-214AC
- 封装
Reel
1N4743A供应商...
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市龙瀚电子有限公司 |
1N4743A-13V |
TCON |
16+17+ |
DO-41 |
6814 |
原装正品O优势库存 |
|
深圳市亿顺芯科技有限公司 |
1N4743ATR |
ON/安森美 |
2020/原装正品 |
SMD |
21000 |
大量现货,免费发样。 |
|
深圳市航润创能电子集团有限公司 |
1N4743ATR |
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
147980 |
只做原装,假一罚十 |
|
千层芯半导体(深圳)有限公司 |
1N4743A,113 |
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT |
30000 |
NEXPERIA/安世一级代理商 原装进口现货 |
|
深圳市芯巴巴科技有限公司 |
1N4743A |
ST(先科) |
24+ |
DO-41 |
10000 |
只做原装现货 假一赔万 |
|
深圳新景润电子科技有限公司 |
1N4743A-G |
群鑫 |
22+ |
DO-41G |
30029 |
原装正品 一级代理 |
|
深圳市润联芯城科技有限公司 |
1N4743ATR |
ON/安森美 |
18+ |
DO-41 |
30000 |
只做原装正品 |
|
深圳市毅创辉电子科技有限公司 |
1N4743ATR |
Fairchild Semiconductor |
23+ |
SOIC-24 |
6000 |
15年原装正品企业 |
|
深圳市豪迈兴电子有限公司 |
1N4743A |
SYNSEMI |
24+ |
全新原装现货特价南京苏州 |
5642 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|
深圳市一线半导体有限公司 |
1N4743A |
EIC |
24+ |
3800 |
1N4743A-TR-CUTTAPE 价格
参考价格:¥0.2349
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- LAKW6391MEL
- MC312XDP512J1MPVR
- MEH20-400P3
- OAH2527AT
- OBH33027AT
- OCC100AT
- QAP2E154JRP
- S29WS128P0SBFW003
- SC912XDP512J1MPVR
- SVG-100E483ABT
- SVH-15D483ABT
- T68K1MGI-7
- T68K1MTI-7
- TA62350EV
- UKL0J222MED
- UKT0J330MED
- UKT1V102MDD
- UKW1C331MED
- UKW1J331MED
- UKW1V331MED
- UKW2A472MDD
- UKWOJ471MED
- VPM-S600-12R
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
TRANSYS Electronics Limited
Transys电子有限公司是一家位于英国伯明翰工业中心地带的私有半导体制造商。 该公司成立于1992年,如今拥有并运营着一个5000平方英尺的全功能功率半导体晶圆厂以及真空焊接组装设备。 我们的产品应用于高端规格领域,苛刻的应用环境和复杂的电气参数一直是Transys发展的关键。 在关键人员和设备方面的大量投资使Transys在技术上保持领先,即使是在一个拥有众多大型公司的行业中也是如此。 Transys在其伯明翰总部维持着一个5000平方英尺的晶圆厂,每周能够生产4000片4英寸、5英寸和8英寸的功率半导体晶圆。 产品范围包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Mo