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2SA562数据手册规格书PDF详情
TRANSISTOR (PNP)
FEATURE
Power dissipation
PCM : 0.5 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM : -0.5 A
Collector-base voltage
V (BR) CBO: -35 V
Operating and storage junction temperature range
Tstg: -55℃ to +150℃
TJ : 150℃
2SA562产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SA562
- 功能描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2SA562供应商...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
深圳市益百分电子有限公司 |
2SA562 |
蓝箭 |
TO92 |
1000000 |
2012 |
||
深圳市弘为电子有限公司 |
2SA562TM-Y |
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
6000 |
原装现货假一罚十 |
|
深圳市正纳电子有限公司 |
2SA562TM-0 |
TOSHIBA |
ROHS全新原装 |
TO-92 |
3000 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
|
深圳市龙瀚电子有限公司 |
2SA562 |
CJ |
17+ |
TO-92 |
5752 |
全新原装正品s |
|
深圳市恒凯威科技开发有限公司 |
2SA562-Y |
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO-92 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|
深圳市华来深电子有限公司 |
2SA562TM-Y |
TOSHIBA东芝 |
23+ |
TO92 |
8560 |
原包装原标签特价销售 |
|
深圳市汇莱威科技有限公司 |
2SA562TM-Y |
TOS |
2024 |
TO-92 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|
深圳市一线半导体有限公司 |
2SA562 |
PNPECB |
24+ |
TO-92 |
50000 |
||
深圳市华斯顿科技有限公司 |
2SA562 |
长电 |
22+23+ |
TO-92 |
23704 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|
深圳兆威电子有限公司 |
2SA562 |
CJ/长电 |
22+ |
TO-92 |
95000 |
原装正品现货,可开13点税 |
2SA562 资料下载更多...
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- UKT1C470MED
2SA562 晶体管资料
2SA562(TM)别名：2SA562(TM)三极管、2SA562(TM)晶体管、2SA562(TM)晶体三极管
2SA562(TM)生产厂家：日本东芝公司
2SA562(TM)制作材料：Si-PNP
2SA562(TM)性质：通用型 （Uni）
2SA562(TM)封装形式：直插封装
2SA562(TM)极限工作电压：30V
2SA562(TM)最大电流允许值：0.4A
2SA562(TM)最大工作频率：70MHZ
2SA562(TM)引脚数：3
2SA562(TM)最大耗散功率：0.3W
2SA562(TM)放大倍数：
2SA562(TM)图片代号：A-20
2SA562(TM)vtest：30
2SA562(TM)htest：70000000
- 2SA562(TM)atest：0.4
2SA562(TM)wtest：0.3
2SA562(TM)代换 2SA562(TM)用什么型号代替：BC298,BC327,BC328,BC636,BC728,CG673B,22SA1515,SB910,3CK9C,
TEL相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P82
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- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
TRANSYS Electronics Limited
中文资料: 1455条
Transys电子有限公司是一家位于英国伯明翰工业中心地带的私有半导体制造商。 该公司成立于1992年，如今拥有并运营着一个5000平方英尺的全功能功率半导体晶圆厂以及真空焊接组装设备。 我们的产品应用于高端规格领域，苛刻的应用环境和复杂的电气参数一直是Transys发展的关键。 在关键人员和设备方面的大量投资使Transys在技术上保持领先，即使是在一个拥有众多大型公司的行业中也是如此。 Transys在其伯明翰总部维持着一个5000平方英尺的晶圆厂，每周能够生产4000片4英寸、5英寸和8英寸的功率半导体晶圆。 产品范围包括绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（Mo
