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TGF4250-SCC中文资料

厂家型号

TGF4250-SCC

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325.44Kbytes

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9

功能描述

DC - 10.5 GHz Discrete HFET

射频GaAs晶体管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET

数据手册

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生产厂商

TriQuint Semiconductor

简称

TriQuint

中文名称

官网

LOGO

TGF4250-SCC数据手册规格书PDF详情

Description

The TriQuint TGF4250-SCC is a single gate 4.8 mm discrete GaAs Heterostructure Field Effect Transistor (HFET) designed for high efficiency power applications up to 10.5 GHz in Class A and Class AB operation. Typical performance at 2 GHz is 34 dBm power output, 13 dB gain, and 53 PAE.

Bond pad and backside metallization is gold plated for compatibility with eutectic alloy attach methods as well as thermocompression and thermosonic wire bonding processes. The TGF4250-SCC is readily assembled using automatic equipment. For an Application Note on the use of HFETs, refer to the TriQuint website for the Millimeter Wave Division.

Key Features and Performance

? Nominal Pout of 34 dBm at 8.5 GHz

? Nominal Gain of 8.5 dB at 8.5 GHz

? Nominal PAE of 53 at 8.5 GHz

? Suitable for high reliability applications

? 4800 ?m x 0.5 ?m FET

? Chip dimensions: 0.61 x 1.37 x 0.1 mm (0.024 x 0.054 x 0.004 in)

? Bias at 8 Volts, 384 mA

Primary Applications

? Cellular Base Stations

? High-reliability space

? Military

TGF4250-SCC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TGF4250-SCC

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

TGF4250-SCC供应商...

更新时间:2025-2-14 17:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
千层芯半导体(深圳)有限公司
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TriQuint Semiconductor

中文资料: 3072条

Qorvo持续推出新一代RF智能装置与解决方案,让用户、位置与装置之间的连接更为快速、深入且可靠。Qorvo与领先公司合作,运用核心的RF产品及工程专业技术,打造未来的联网世界。Qorvo通过更高能源效率的网络与装置提供更出色的性能,连接并保护关键防护系统和新兴的商业与消费型应用。Qorvo的产品无处不在,让这个世界更加紧密地关联在一起,让生活更美好。TriQuint和RFMD合并后改名为Qorvo,是射频解决方案的新全球领先厂商。


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