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STP30N20中文资料

厂家型号

STP30N20

文件大小

1587.08Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

MOSFET Power MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

VBsemi Electronics Co.,Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

STP30N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP30N20

  • 功能描述

    MOSFET Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STP30N20供应商...

更新时间:2025-3-14 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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深圳市恒创达实业有限公司
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9660条

微碧半导体(台湾)有限公司(VBsemi Electronics Co.,Ltd)是一家国家高新技术企业,专注于中低压MOSFET(12V~250V)、高压MOSFET(300V~1000V)、超结MOSFET(500V~1700V)功率MOSFET的制造,涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心,积极开展大规模生产,致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准,拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时,企业引进了多台先进的国外设备,涵盖了功率器件的直

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