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FGL60N170D

ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A ?HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGL60N170D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N170D

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    Electrical Characteristics of IGBT

FGL60N170D供应商更多...

更新时间：2025-3-14 23:00:00
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