替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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CMOS NAND Gates | IntersilIntersil Corporation | |||
Dual 4-Input NOR(NAND) Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | |||
Dual 4-Input NOR(NAND) Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | |||
CMOS NAND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | |||
CMOS NAND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | |||
The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | |||
NAND GATES | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | |||
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Dual 4-input NAND Gate | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | |||
Dual 4-input NAND gate | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | |||
Dual 4-input NAND gate | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | |||
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | |||
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | |||
B-Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
B−Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON | NTENTE Electronics | |||
INPUT NAND GATE | RANDER & E International, Inc. | |||
C2MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |
MB84012BM供应商更多...
IC供应商 | 产品型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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属性参数值 商品目录整流桥 反向峰值电压600V 平均整流电流(Io)500mA 正向压降(Vf)1V@500mA
2020-9-4MB3891-电源管理IC的GSM移动电话
描述MB3891是拟用于未来的GSM手机,双频手机和双模手机。它包含所有必要的功能,以支持这些手机的所有数字,模拟和RF�?椤5绾杀冒ㄒ桓雎呒缙阶坏缏纺谥糜谥С諷IM卡的两个3和5伏技术(智能卡)。该电路包含一个可充电的锂实时时钟钮扣电池充电器。一个复杂的控制电路是建立在主复位生成并打开和关闭不同的LDO的。...特征•电源电压范围:3V至5.5V•低功耗待机电流:400毫安(最大)•6通道低饱和电压型系列稳压器:2.1V/2号通道,2.8V/3号通
2013-2-12MB3841-电源管理开关IC
说明富士通MB3841是一个通道电源管理与非常低电阻开关IC。该MB3841是专为各种开关应用,具有低输入电压操作(VIN的>2.2V)和电阻,不依赖于输入电压保持稳定。开关电流限制,可外部设定在很宽的范围为100mA至2答:安全功能检测过电流条件下,立即关机模式设置为一个外部开关和发送通知信号。因此,该MB3841理想动力管理开关与USB规格应用。此外,MB3841具有的特点,可确保精确的关闭,防止反向电流开关处于OFF模式,以及快速放电的电容连接到输出。特点•低电阻开关(典型值45毫瓦)•
2013-2-12
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