利博·(集团)有限公司官网

    位置:NAND512R3A2CZA6E > NAND512R3A2CZA6E详情

    NAND512R3A2CZA6E中文资料

    厂家型号

    NAND512R3A2CZA6E

    文件大小

    916.59Kbytes

    页面数量

    57

    功能描述

    128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

    数据手册

    原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

    生产厂商

    STMicroelectronics

    简称

    STMICROELECTRONICS意法半导体

    中文名称

    意法半导体集团官网

    LOGO

    NAND512R3A2CZA6E数据手册规格书PDF详情

    SUMMARY DESCRIPTION

    The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses

    the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

    FEATURES SUMMARY

    ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES

    – Up to 1 Gbit memory array

    – Up to 32 Mbit spare area

    – Cost effective solutions for mass storage applications

    ■ NAND INTERFACE

    – x8 or x16 bus width

    – Multiplexed Address/ Data

    – Pinout compatibility for all densities

    ■ SUPPLY VOLTAGE

    – 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V

    – 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V

    ■ PAGE SIZE

    – x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

    – x16 device: (256 + 8 spare) Words

    ■ BLOCK SIZE

    – x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

    – x16 device: (8K + 256 spare) Words

    ■ PAGE READ / PROGRAM

    – Random access: 12?s (max)

    – Sequential access: 50ns (min)

    – Page program time: 200?s (typ)

    ■ COPY BACK PROGRAM MODE

    – Fast page copy without external buffering

    ■ FAST BLOCK ERASE

    – Block erase time: 2ms (Typ)

    ■ STATUS REGISTER

    ■ ELECTRONIC SIGNATURE

    ■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION

    – Simple interface with microcontroller

    ■ SERIAL NUMBER OPTION

    ■ HARDWARE DATA PROTECTION

    – Program/Erase locked during Power transitions

    ■ DATA INTEGRITY

    – 100,000 Program/Erase cycles

    – 10 years Data Retention

    ■ RoHS COMPLIANCE

    – Lead-Free Components are Compliant with the RoHS Directive

    ■ DEVELOPMENT TOOLS

    – Error Correction Code software and hardware models

    – Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms

    – File System OS Native reference software

    – Hardware simulation models

    NAND512R3A2CZA6E产品属性

    • 类型

      描述

    • 型号

      NAND512R3A2CZA6E

    • 功能描述

      IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

    • RoHS

    • 类别

      集成电路(IC) >> 存储器

    • 系列

      -

    • 产品变化通告

      Product Discontinuation 26/Apr/2010

    • 标准包装

      136

    • 系列

      - 格式 -

    • 存储器

      RAM

    • 存储器类型

      SRAM - 同步,DDR II

    • 存储容量

      18M(1M x 18)

    • 速度

      200MHz

    • 接口

      并联

    • 电源电压

      1.7 V ~ 1.9 V

    • 工作温度

      0°C ~ 70°C

    • 封装/外壳

      165-TBGA

    • 供应商设备封装

      165-CABGA(13x15)

    • 包装

      托盘

    • 其它名称

      71P71804S200BQ

    NAND512R3A2CZA6E供应商...

    更新时间:2025-3-21 15:27:00
    供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
    深圳市华来深电子有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    ST
    23+
    BGA
    8560
    受权代理!全新原装现货特价热卖!
    深圳市汇莱威科技有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    STM
    24+
    BGA
    23000
    免费送样原盒原包现货一手渠道联系
    深圳市一线半导体有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    STMICRO
    24+
    1257
    深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    NUMONYX
    2020+
    原厂封装
    350000
    100%进口原装正品公司现货库存
    深圳市科恒伟业电子有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    ST
    2018+
    BGA
    6528
    承若只做进口原装正品假一赔十!
    深圳市近平电子有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    ST
    6000
    面议
    19
    DIP/SMD
    深圳兆威电子有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    STM
    22+
    BGA
    22108
    原装正品现货
    深圳市赛尔通科技有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    Numonyx/STMi
    23+
    63-VFBGA
    65480
    深圳市纳艾斯科技有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    ST
    2020+
    BGA
    80000
    只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
    深圳市斌腾达科技有限公司
    NAND512R3A2CZA6E
    Micron Technology Inc.
    21+
    144-TFBGA
    5280
    进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营

    NAND512R3A2CZA6E 产品相关型号

    • 2N3174
    • AME8500BEEVCF24
    • AME8500CEFTBA26
    • AME8500CEFVCF24
    • AME8501AEFTCF24
    • AME8501BEFVCF24
    • AME8501CEEVCF24
    • AME8501CEFVAA26
    • AP1118D33LA
    • AP1118S33LA
    • DS26556
    • DS26556N
    • DS8874
    • DSTINIM400
    • DTC115EE
    • K9K1208U0A-YIB0
    • NAND01GR3A0CZA6E
    • NAND01GW3A2CZA6E
    • NAND256R3A2AZB6E
    • NAND512W3A0AZB6E
    • NAND512W4A0CZA6E
    • PM100CLA060
    • PS2832-4-V-F4
    • PS2833-1-F4
    • PS396CAI
    • PS72141
    • PS7214-1A-F4
    • PT6911
    • QF15AA60
    • RA13H4047M

    STMICROELECTRONICS相关电路图

    • STRONGLINK
    • SULLINS
    • SUMIDA
    • SUMMIT
    • SUNGROW
    • SUNHOLD
    • SUNLED
    • Sunlord
    • SUNMATE
    • SUNMOON
    • SUNNY
    • SUNNYCHIP

    STMicroelectronics 意法半导体集团

    中文资料: 159768条

    意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎,是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案,产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地,致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴,为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展,助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功,还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重

    【网站地图】【sitemap】